半导体晶圆紫外曝光机 采用采用双目双视场显微镜对准;球碗调平,单片机控制,触摸开关,操作方便、实用性强。整机具有性能可靠、操作方便等特点。 一.技术特征 1、采用国内独创的多点梯形反射镜聚光和实现均匀照明,具有高的能量收集率和高均匀性照明性; 2、采用进口直流高压汞灯,光功率稳定; 3、采用i线(365nm)紫外曝光光源,波长单一,光谱纯净; 4、高倍率双目双视场CCD显微镜和22英寸宽屏液晶,可同时观察对准过程,适用大视场高倍率对准; 5、采用薄膜开关操作,数字设定曝光时间,倒计时数显,曝光量可精确控制; 6、配置无油真空泵,无污染,噪音小; 7、关键器件采用进口国际品牌产品,整机可靠性高。 曝光机性能技术介绍 1、曝光面积:110mm×110mm 2、曝光波长:365nm(纯净光源) 3、分辨力: 1.5μm 4、对准精度 ± 1μm 5、掩模样片整体运动范围:X:6mm;Y:6mm 6、掩模尺寸:2.5寸、3寸、4寸、5寸 7、直径Ф15mm--Ф100mm、厚度0.1mm--6mm(可扩展为15mm); 8、照明均匀性:±5%
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