1.对晶圆边缘曝光的技术指标要求包括定位精度和曝光强度两个方面。

2.要求确定晶圆缺口位置的精度在之内，边缘曝光位置的精度可以控制在之内。

3.边缘曝光的功率应大于每平方厘米400mW。

4.值得注意的是，晶圆边缘曝光并不能够去除多余的抗反射涂层，因为抗反射涂层不是光敏感的。